特性

• 高性能静态CMOS技术
  • 高达150 MHz（6.67 - ns的周期时间）
  • 1.9-V/1.8-V核心，3.3 -第VI / O设计
• 高性能32位CPU（TMS320C28x）
  • 符合IEEE - 754单精度浮点单元（FPU）（F2833x控制器只）
  • 16 × 16和32 × 32 MAC操作
  • 16 × 16双MAC
  • 哈佛总线结构
  • 快速中断响应和处理
  • 统一内存编程模型
  • 代码效率（在C / C + +和汇编）
• 六通道的DMA控制器（ADC时，McBSP的，的ePWM，XINTF和SARAM的）
• 16位或32位外部接口（XINTF）
  • × 16 2米以上河段地址
• 片上存储器
  • F28335/F28235ï¼š× 16 256K的闪存，34Kç³»åˆ—× 16 SARAM的
  • F28334/F28234：128Kçš„é—ªå­˜× 16ï¼Œ× 16 SARAM的34K系列
  • F28332/F28232ï¼š× 16的64K闪存，26Kæ¡× 16 SARAM的
  • 1Kçš„× 16 OTP的光盘
• 引导ROM（8Kçš„× 16）