LM5112MYX

• 复合CMOS和双极输出降低输出电流变化
• 7A sink/3A源电流
• 快速传播时间（25纳秒典型）
• 快速上升和下降时间（14 ns/12 ns上升/ 2 nF的负载下降）
• 反相和非反相输入端提供一个单一的设备或配置
• 供应铁路欠压锁定保护
• 专用输入地（IN_REF）的分离电源或单电源供电
• 功率增强型6引脚LLP封装（3.0毫米x3.0毫米）或耐热增强MSOP8 - EP封è£
• 输出摆幅为V_CC至V_EE可负相输入地

说明

该LM5112 MOSFET栅极驱动器提供高峰值栅极驱动的微小LLP - 6封装（SOT23相当于足迹）电流或8引脚裸露焊盘MSOP封装，提高功率高频运行 所需的功耗。 该化合物包括输出驱动级MOS和双极型晶体管并联运行，连同沉从电容负载超过7A的峰值多。 结合了MOS和双极型器件的独特性降低驱动电流，电压和温度变化。 欠压锁定保护，以防止损坏MOSFET由于没有足够的栅极导通电压。 该LM5112提供了反相和非反相输入，以满足反相和非反相与单一设备类型的栅极驱动要求。