设计ç¨äºæ¨¡æåæ°åå«ææ¥æ¶å¨ï¼è¯¥åä½åªé³éé¢è½¬æ¢ç¨³åå¨(LNBR) æ¯åç线æ§/å¼å
³ç¨³åå¨ï¼ä¸ç¨äºéè¿åè½´çµç¼å°åç忥å£ä¿¡å·ä¼ ç»ä¸ä¸ª LNB éå转æ¢å¨ãA8290 éè¦å¾å°çå¤é¨å
ä»¶ï¼åæ¶å
·æéæå°å¨ä»¶å
çååå¼å
³åè¡¥å¿çµè ·¯ãéæ©ä¸ä¸ªè¾é«çå¼å
³é¢çï¼ä»¥æå°å被å¨è¿æ»¤å
ä»¶ç尺寸ï¼è¿ä¸æ¥é使æ¬ãé«çº§å«çå
ä»¶éæå¯ç¡®ä¿æä½çåªé³åèå¨å ¾å½¢ã
A8290 设计ç¨äºéè¿å©ç¨ Allegro® é«çº§ BCD æµç¨ï¼è·å髿çãç»ä¼ååï¼éæçååå¼å
³å¯æå°å忢åéææèãè¦è¿ä¸æ¥æé«æ çï¼éæå°åè·è¸ªç¨³åå¨è¿ç¨ä¸çåéã
A8290 å
·æä¸ä¸ªå¯å®å
¨æ¯æä¸¤ç§ DiSEqC⢠éä¿¡çéæé³è°æ£æµåè½ã坿ä¾è¥å¹²ç§æ¨¡å¼ï¼ä»¥ä½¿ç¨å
鍿å¤é¨æ¶éæºæï¼å¨æ´ä¸ªè¿ç¨ä¸ ç´è³æ è½½è·æ¶ï¼çæé³è°ä¿¡å·ãDiSEqCâ¢ è¿æ»¤æè·¯å¼å
³å·²ç»è¿éæï¼ä»¥æå°åé³è°ç产è¿ç¨ä¸çè¾åºé»æã
该å¨ä»¶æä¾ä¸ç»å
¨é¢çæ
éå¯åå¨ï¼æå
³å¯åå¨ç¬¦åææçæ®éæ åï¼å
¶ä¸å
æ¬ï¼è¿æµãè¿çå
³æºãæ¬ åãçµç¼æå¼ãåçä¸å æ ¼åé³è°æ£æµã
该å¨ä»¶ä½¿ç¨ 2 线ååä¸²è¡æ¥å£ï¼ä¸ I2C⢠æ åå
¼å®¹ï¼å·¥ä½é¢çå¯è¾¾ 400 å赫ã
A8290 éç¨æ é
28 å¼è MLP/QFN å°è£
ã
- 2 çº¿ä¸²è¡ I2Câ¢å
¼å®¹æ¥å£ï¼æ§å¶ï¼åå
¥ï¼åç¶æï¼è¯»åï¼
- LNB çµåï¼16 个å¯ç¼ç¨çº§å«ï¼ä¸æææ®éæ åå
¼å®¹
- æä½èæ£è·è¸ªå¼å
³æ¨¡å¼çµæºè½¬æ¢å¨
- éæè½¬æ¢å¨å¼å
³åçµæµææµ
- æä¾é«è¾¾ 700 毫å®çæç»è½½è·çµæµ
- å
¸åç 900 毫å®è¾åºçµæµéå¶ï¼å¸¦ 48 毫ç§è®¡æ¶å¨
- éæçµæµéå¶çµè·¯å
许å¯å¨æ¶çæ»¡çµæµã13â18 V è¾åºè½¬æ¢ãå¯é çå¯å¨å®½è½½è·èå´
- æ¨æè¾åºçº§å¯æå°åé«çµå®¹æ§è½½è·ç 13â18 V å 18â13 V è¾åºè½¬æ¢æ¬¡æ°
- éè¿å¤é¨è®¡æ¶çµå®¹å¨å¯è°å/éæ¶é´
- å
ç½®é³è°æ¯è¡å¨ãåºåæ ¡åå° 22 åèµ«ï¼æå©äº DiSEqC⢠é³è°ç¼ç ï¼çè³å¨æ è½½è·æ¶
- éè¿ I2Câ¢ æ°æ®ä½å/æå¤é¨å¼èå¯å®ç°åç§ 22 å赫é³è°çææ¹æ³
- è¿æ»¤æè·¯ MOSFET æå°åé³è°åå°è¿ç¨ä¸çæè
- 22 å赫é³è°æ¢æµå¨æå©äº DiSEqC⢠2.0 è§£ç
- SWMï¼å线å¤å¼å
³ï¼å·¥ä½å¨ 700 æ¯«å®æ¶çè¾åº çµå为 19 è³ 21 Vç´æµ
- è¾åºçµåæ°´å¹³ãè¾å
¥çµæº UVLO å DiSEqC⢠é³è°è¾åºè¯æ
- è¾
å©è°å¶è¾å
¥
- 带计æ¶å¨ LNB è¿çµæµ
- çµç¼æå¼è¯æ