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PMV65XP P沟道TrenchMOS场效应管 P-channel TrenchMOS(tm) extremely low level FET - Configuration: Single P-channel ; ID DC: 3.9 A; Qgd (typ): 0.65 nC; RDS(on):[email protected]11+NXPSOT-23-3 删除
LMV358 双路,低电压,低功耗,满幅度输出低电压运放02+TISOP-8 删除

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