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IRF634STRR N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为250V,导通电阻为0.45Ω,漏电流为8.1A))10+IRTO-263 删除
IRF610STRR 3.3A,200V, 1.500 Ohm, N-Channel PowerMOSFET(3.3A,200V, 1.500 Ohm,N沟道增强型功率MOS场效应管)10+VISHAYTO-263 删除

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